mile米乐m6电竞:60秒看懂硅棒是怎样炼成的！
发布时间：2023-06-10 13:12:56
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：将多晶硅质料及杂质放入石英坩埚内，杂质的品种依电阻的N或P型而定。杂质品种有硼，磷，锑，砷。
熔化：加完多晶硅质料于石英埚内后，长晶炉有必要封闭并抽成真空后充入高纯氩气使之保持必定压力范围内，然后翻开石墨加热器电源，加热至熔化温度（1420℃)以上,将多晶硅质料熔化。
缩颈成长：当硅熔体的温度安稳之后，将籽晶逐渐浸入硅熔体中。因为籽晶与硅熔体场触摸时的热应力，会使籽晶产生位错，这些位错有必要使用缩颈成长使之消失掉。缩颈成长是将籽晶快速向上提高，使长出的籽晶的直径缩小到必定巨细（46mm）因为位错线与成长轴成一个交角，只需缩颈够长，位错便能长出晶体外表产生零位错的晶体。
放肩成长：长完细颈之后，须下降温度与拉速，使得晶体的直径逐渐增大到所需的巨细。
等径成长：长完细颈和肩部之后,借着拉速与温度的不断调整,可使晶棒直径保持在正负2mm之间，这段直径固定的部分即称为等径部分。单晶硅片取自于等径部分。
尾部成长：在长完等径部分之后，假如马上将晶棒与液面分隔，那么热应力将使得晶棒呈现位错与滑移线。所以为了防止此问题的产生，有必要将晶棒的直径逐渐缩小，直到成一尖点而与液面分隔。这一进程称之为尾部成长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完结一次成长周期。
